IRFHM7194TRPBF Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
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IRFHM7194TRPBF
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie FASTIRFET™, HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9.3A (Ta), 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 733pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Paket / Fall 8-PowerTDFN |