IRF7171MTRPBF Datenblatt
IRF7171MTRPBF Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IRF7171MTRPBF
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Hersteller Infineon Technologies Serie FASTIRFET™, HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Ta), 93A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2160pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MN Paket / Fall DirectFET™ Isometric MN |
