Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt

IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 859,82 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: IRF630BTSTU_FP001, IRF630B_FP001
IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt Seite 1
IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt Seite 2
IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt Seite 3
IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt Seite 4
IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt Seite 5
IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt Seite 6
IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt Seite 7
IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt Seite 8
IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt Seite 9
IRF630BTSTU_FP001 Datenblatt Seite 10
IRF630BTSTU_FP001

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

72W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IRF630B_FP001

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

72W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3