IR11662SPBF Datenblatt
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Hersteller Infineon Technologies Serie Advanced Smart Rectifier™ Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 11.4V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 2V, 2.15V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 21ns, 10ns Betriebstemperatur -25°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Infineon Technologies Serie Advanced Smart Rectifier™ Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 11.4V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 2V, 2.15V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1A, 4A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 21ns, 10ns Betriebstemperatur -25°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
