HN2S03FE(TE85L Datenblatt
HN2S03FE(TE85L Datenblatt
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Toshiba Semiconductor and Storage
Website: http://www.toshiba.com/taec/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
HN2S03FE(TE85L,F)
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodenkonfiguration 3 Independent Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 50mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 20V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket ES6 |
