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HN1B01FDW1T1 Datenblatt

HN1B01FDW1T1 Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: HN1B01FDW1T1, SHN1B01FDW1T1G, HN1B01FDW1T1G
HN1B01FDW1T1 Datenblatt Seite 1
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HN1B01FDW1T1 Datenblatt Seite 6
HN1B01FDW1T1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Leistung - max

380mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SC-74

SHN1B01FDW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Leistung - max

380mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SC-74

HN1B01FDW1T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

Leistung - max

380mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SC-74