HGTP12N60C3D Datenblatt
HGTP12N60C3D Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
HGTP12N60C3D
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A Leistung - max 104W Schaltenergie 380µJ (on), 900µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
