HGT1S2N120CN Datenblatt
HGT1S2N120CN Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 498,55 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
HGT1S2N120CN
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A Leistung - max 104W Schaltenergie 96µJ (on), 355µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/205ns Testbedingung 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
