HGT1S10N120BNS Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A Leistung - max 298W Schaltenergie 320µJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/165ns Testbedingung 960V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A Leistung - max 298W Schaltenergie 320µJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/165ns Testbedingung 960V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A Leistung - max 298W Schaltenergie 320µJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/165ns Testbedingung 960V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
