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GBU10G Datenblatt

GBU10G Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 4 Teilenummern: GBU10G, GBU10B, GBU10A, GBU10D
GBU10G Datenblatt Seite 1
GBU10G Datenblatt Seite 2
GBU10G Datenblatt Seite 3
GBU10G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

400V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

GBU10B

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

100V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

GBU10A

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

50V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU

GBU10D

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, GBU

Lieferantengerätepaket

GBU