GB2X100MPS12-227 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
GB2X100MPS12-227
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 185A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 100A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 80µA @ 1200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC Lieferantengerätepaket SOT-227 |
