GB100XCP12-227 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
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GB100XCP12-227
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - IGBT-Typ PT Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 8.55nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-4 Lieferantengerätepaket SOT-227 |
