GAP3SLT33-214 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
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GAP3SLT33-214
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 3300V Current - Average Rectified (Io) 300mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.2V @ 300mA Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 3300V Kapazität @ Vr, F. 42pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
