GAP05SLT80-220 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
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GAP05SLT80-220
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 8000V Current - Average Rectified (Io) 50mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 4.6V @ 50mA Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 3.8µA @ 8000V Kapazität @ Vr, F. 25pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
