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GA20JT12-263 Datenblatt

GA20JT12-263 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: GA20JT12-263
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GA20JT12-263

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 20A

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3091pF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

282W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK (7-Lead)

Paket / Fall

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA