GA080TH65-227SP Datenblatt
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Struktur Single Anzahl der SCRs, Dioden 1 SCR Spannung - Aus Zustand 6.5kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 80A Current - On State (It (RMS)) (max.) 139A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) - Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 100mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) - Current - Hold (Ih) (Max) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Struktur Single Anzahl der SCRs, Dioden 1 SCR Spannung - Aus Zustand 6.5kV Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max) 80A Current - On State (It (RMS)) (max.) 139A Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) - Current - Gate Trigger (Igt) (Max) 100mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) - Current - Hold (Ih) (Max) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SOT-227-2 |
