GA04JT17-247 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
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GA04JT17-247
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - FET-Typ - Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Tc) (95°C) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 4A Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 106W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AB Paket / Fall TO-247-3 |
