Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FQPF7N20L Datenblatt

FQPF7N20L Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 548,78 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FQPF7N20L
FQPF7N20L Datenblatt Seite 1
FQPF7N20L Datenblatt Seite 2
FQPF7N20L Datenblatt Seite 3
FQPF7N20L Datenblatt Seite 4
FQPF7N20L Datenblatt Seite 5
FQPF7N20L Datenblatt Seite 6
FQPF7N20L Datenblatt Seite 7
FQPF7N20L Datenblatt Seite 8
FQPF7N20L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

37W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack