FGH75T65SQDNL4 Datenblatt
FGH75T65SQDNL4 Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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FGH75T65SQDNL4
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 375W Schaltenergie 1.25mJ (on), 1.26mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 152nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/208ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 134ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247-4L |