FDMS3572 Datenblatt
FDMS3572 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 632,91 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FDMS3572
|
Hersteller ON Semiconductor Serie UltraFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.8A (Ta), 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 8.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2490pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-MLP (5x6), Power56 Paket / Fall 8-PowerWDFN |
