FDB86102LZ Datenblatt
FDB86102LZ Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 353,53 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FDB86102LZ
|
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.3A (Ta), 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 8.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1275pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263AB Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
