FDB1D7N10CL7 Datenblatt
FDB1D7N10CL7 Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 352,97 KB
ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
FDB1D7N10CL7
|
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 268A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 163nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11600pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 250W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263) Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
