FCH041N65EF-F155 Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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FCH041N65EF-F155
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Hersteller ON Semiconductor Serie FRFET®, SuperFET® II FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 7.6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 298nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12560pF @ 100V FET-Funktion Super Junction Verlustleistung (max.) 595W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads Paket / Fall TO-247-3 |
