EPC8009 Datenblatt
EPC8009 Datenblatt
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EPC
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EPC8009
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ N-Channel Technologie GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 65V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.45nC @ 5V Vgs (Max) +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 52pF @ 32.5V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Die Paket / Fall Die |
