DTDG23YPT100 Datenblatt
DTDG23YPT100 Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DTDG23YPT100
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 80MHz Leistung - max 1.5W Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket MPT3 |
