DMN80H2D0SCTI Datenblatt
DMN80H2D0SCTI Datenblatt
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Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DMN80H2D0SCTI
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.4nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1253pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 41W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ITO-220AB Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
