DMN4468LSS-13 Datenblatt
DMN4468LSS-13 Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 220,63 KB
Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DMN4468LSS-13
|
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 11.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.95V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.85nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 867pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.52W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
