DGD2304S8-13 Datenblatt
DGD2304S8-13 Datenblatt
Total Pages: 11
Größe: 761,39 KB
Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DGD2304S8-13
|
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.7V, 2.3V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 290mA, 600mA Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 70ns, 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
