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DG2516DQ-T1-E3 Datenblatt

DG2516DQ-T1-E3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: DG2516DQ-T1-E3, DG2515DQ-T1-E3
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DG2516DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 9
DG2516DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

4Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

100mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

50ns, 40ns

-3db Bandbreite

235MHz

Ladungsinjektion

49pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

17pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-74dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

10-MSOP

DG2515DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

2

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

4Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

100mOhm

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

50ns, 40ns

-3db Bandbreite

235MHz

Ladungsinjektion

49pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

17pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

1nA

Übersprechen

-74dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

10-MSOP