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DG2012DL-T1-GE3 Datenblatt

DG2012DL-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: DG2012DL-T1-GE3, DG2012DL-T1-E3
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DG2012DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1.8Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

250mOhm (Max)

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

38ns, 32ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

20pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

20pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500pA

Übersprechen

-64dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6

DG2012DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Schaltkreis

SPDT

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

2:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1.8Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

250mOhm (Max)

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.8V ~ 5.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

38ns, 32ns

-3db Bandbreite

-

Ladungsinjektion

20pC

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

20pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

500pA

Übersprechen

-64dB @ 1MHz

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-70-6 (SOT-363)