CYD04S18V-167BBC Datenblatt
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Cypress Semiconductor
Website: http://www.cypress.com/
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CYD04S18V-167BBC
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 4ns Spannung - Versorgung 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 256-LBGA Lieferantengerätepaket 256-FBGA (17x17) |
