CY7C197N-25PXC Datenblatt
CY7C197N-25PXC Datenblatt
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Cypress Semiconductor
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CY7C197N-25PXC
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (256K x 1) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 24-PDIP |
