CMF20120D Datenblatt
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Cree/Wolfspeed
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CMF20120D
Cree/Wolfspeed Hersteller Cree/Wolfspeed Serie Z-FET™ FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90.8nC @ 20V Vgs (Max) +25V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1915pF @ 800V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 215W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 135°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |