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CIG32H2R2MNE Datenblatt

CIG32H2R2MNE Datenblatt
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Samsung Electro-Mechanics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: CIG32H2R2MNE
CIG32H2R2MNE Datenblatt Seite 1
CIG32H2R2MNE Datenblatt Seite 2
CIG32H2R2MNE

Samsung Electro-Mechanics

CIG32H2R2MNE

Hersteller

Samsung Electro-Mechanics

Serie

CIG32H

Typ

Multilayer

Material - Kern

-

Induktivität

2.2µH

Toleranz

±20%

Aktuelle Bewertung

1.6A

Strom - Sättigung

2.9A

Abschirmung

Shielded

DC-Widerstand (DCR)

125 mOhm

Q @ Freq

-

Frequenz - Selbstresonant

-

Bewertungen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Induktivitätsfrequenz - Test

1MHz

Funktionen

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

1210 (3225 Metric)

Lieferantengerätepaket

-

Größe / Dimension

0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Sitzhöhe (max.)

-