CA3127MZ Datenblatt
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Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 100MHz Gewinn 27dB ~ 30dB Leistung - max 85mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 100MHz Gewinn 27dB ~ 30dB Leistung - max 85mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
