BUK9529-100B Datenblatt
BUK9529-100B Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 466,61 KB
Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BUK9529-100B,127
|
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4360pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 157W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
