BST72A Datenblatt
BST72A Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BST72A,112
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Hersteller NXP USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 190mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 830mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-92-3 Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
