BSO303PNTMA1 Datenblatt
BSO303PNTMA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BSO303PNTMA1
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1761pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket P-DSO-8 |
