BFU768F Datenblatt
BFU768F Datenblatt
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NXP
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BFU768F,115
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2.4GHz Gewinn 13.1dB Leistung - max 220mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 155 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
