BFR750L3RHE6327XTSA1 Datenblatt
BFR750L3RHE6327XTSA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
Website: https://www.infineon.com
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BFR750L3RHE6327XTSA1
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 37GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 21dB Leistung - max 360mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 60mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket PG-TSLP-3 |