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BFR750L3RHE6327XTSA1 Datenblatt

BFR750L3RHE6327XTSA1 Datenblatt
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Infineon Technologies
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BFR750L3RHE6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

37GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

360mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 60mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-3