BFG35 Datenblatt
BFG35 Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
BFG35,115
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang 4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 100mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
