APTM60A11FT1G Datenblatt
APTM60A11FT1G Datenblatt
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Microsemi
Website: https://www.microsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
APTM60A11FT1G
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs 132mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10552pF @ 25V Leistung - max 390W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
