APTGT35A120T1G Datenblatt
APTGT35A120T1G Datenblatt
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Microsemi
Website: https://www.microsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
APTGT35A120T1G
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Leistung - max 208W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |
