APTDC10H601G Datenblatt
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Microsemi
Website: https://www.microsemi.com/
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APTDC10H601G




Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Silicon Carbide Schottky Spannung - Peak Reverse (Max) 600V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 600V Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP1 Lieferantengerätepaket SP1 |