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APT40GR120B2D30 Datenblatt

APT40GR120B2D30 Datenblatt
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Microsemi
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: APT40GR120B2D30
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APT40GR120B2D30

Microsemi

APT40GR120B2D30

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

88A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

1.38mJ (on), 906µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/163ns

Testbedingung

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3