APT130SM70B Datenblatt
APT130SM70B Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 434,38 KB
Microsemi
Website: https://www.microsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
APT130SM70B
|
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss) 700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 60A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 20V Vgs (Max) +25V, -10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3950pF @ 700V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 556W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247-3 Paket / Fall TO-247-3 |
