AOB11S60L Datenblatt
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Alpha & Omega Semiconductor
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AOB11S60L
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie aMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 399mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 545pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 178W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
