6HP04MH-TL-W Datenblatt
6HP04MH-TL-W Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
6HP04MH-TL-W
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 370mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.84nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 24.1pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 600mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70FL/MCPH3 Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads |
