2SK4150TZ-E Datenblatt
2SK4150TZ-E Datenblatt
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Renesas Electronics America
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2SK4150TZ-E
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 400mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7Ohm @ 200mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 750mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-92 Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
