2SJ687-ZK-E1-AY Datenblatt
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Renesas Electronics America
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2SJ687-ZK-E1-AY
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 36W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252 (MP-3ZK) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
